ترجمه مقاله مدل معادله سرعت اصلاح شده شامل رزونانس فوتون-فوتون

عنوان انگلیسی مقاله: Modified rate equation model including the photon–photon resonance

عنوان فارسی مقاله:  مدل معادله سرعت اصلاح شده شامل رزونانس فوتون-فوتون.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 12

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

ما نشان می دهیم زمانی که فکتور سلول طولی در یک لیزر لبه ساطع کننده به عنوان یک متغیر پویا (دینامیک) در نظر گرفته می شود، تابع انتقال مدولاسیون دارای یک جمله اضافی می باشد. این جمله یک پیک رزونانس فوتون-فوتون مکمل در پاسخ مدولاسیون تولید می کند که فرکانس آن برابر با فاصله ی فرکانس های میان حالت های طولی زمانی که این حالت ها با فاز قفل شده به اندازه کافی طویل باشند (تقریبا-فاز-قفل-شده) است. پیک رزونانس فوتون-فوتون زمانی دارای بیشترین قدرت است که دو حالت طولی غالب با فاز تقریبا قفل شده متوالی دارای محفظه های طولی مشابه بوده و تعداد فوتون ها را بطور یکسان بخش کنند.

کلیدواژه: حالت های طولی . پاسخ مدولاسیون. تابع تبدیل مدولاسیون . رزونانس فوتون-فوتون . معادله سرعت.

1 مقدمه:

در وسایل لیزری سرعت بالای مرسوم، پاسخ مدولاسیون بطور گسترده ای به رزونانس فوتون-حامل (CPR) بستگی دارد. اگرچه، وقوع رزونانس فوتون-فوتون (PPR) می تواند بطور قابل ملاحظه ای پهنای باند مدولاسیون 3-dB را افزایش دهد. PPR (رزونانس فوتون-فوتون) در دیودهای لیزری بازتابنده براگ توزیع شده (DBR)، در لیزرهای جفت-حفره شبکه-تزریق (CCIG)، و در لیزرهای با فیدبک پسیو مشاهده شده است، اما توصیف جامعی از این پدیده ارایه نشده است.

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله استتار جنبشی در یک وضعیت تصادفی

عنوان انگلیسی مقاله: Motion camouflage in a stochastic setting

عنوان فارسی مقاله: استتار جنبشی در یک وضعیت تصادفی

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 20

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

این کار مدل‌های دو و سه بُعدی و قوانین کنترل هدایتی برای استتار جنبشی، که یک استراتژی تعقیب مخفیانه در طبیعت است، را به زبان ریاضی بیان می‌کند. در اینجا ما مدل را توسعه می‌دهیم تا دربرگیرنده استفاده از یک قانون تعقیب با بهره بالا در حضور نویز حسگر و نیز در مواقعی باشد که هدایت گریزنده توسط یک فرایند تصادفی فرمان داده می‌شود، تا نشان داده شود که (در تنظیمات مسطح) استتار جنبشی هنوز در زمان محدود قابل دسترسی است. همچنین ما خانواده‌ای از کنترل‌های تصادفی مُجاز گریزنده را بحث کرده و بدین ترتیب برای مطالعه آتی نظریه بازی‌های مربوط به استراتژی‌های بهینه گریز طرحی را بیان می‌کنیم. 

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله حساسیت مختلف گیاهان C3 و C4 به تنش کم آبی

عنوان انگلیسی مقاله: Differential sensitivity of C3 and C4 plants to water deficit stress: Association with oxidative stress and antioxidants

عنوان فارسی مقاله: حساسیت مختلف گیاهان C3 و C4 به تنش کم آبی: رابطه تنش اکسیداتیو و آنتی اکسیدانت

دسته: زیست - گیاه شناسی

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 16

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

دلایل متابولیکی حساسیت متفاوت گونه های گیاهان C3 و C4 به تنش کم آبی قابل درک نمی باشد. در این مطالعه، گیاهان 15 روزه گندم و ذرت، نماینگر بترتیب گیاهان C3 و C4، تحت تاثیر سطوح القای تنش آبی، کم (mpa 0.4-)، متوسط (mpa 0.8-) و زیاد (mpa 1.5-) بوسیله PEG-6000 برای 7 روز تحت شرایط کنترل شده قرار گرفتند. ریشه‌ها و برگهای این گونه گیاهان برای ارزیابی خسارت اکسیداتیو و اکسیدانت همراه با خسارت تنش (بعنوان کمبود الکترولیت)، مقدار آب و اسید آبسزیک تعیین شدند. در موقع تنش کم، در هر دو گونه گیاهی اختلاف معنی دار زیادی از همدیگر برای خسارت تنش ایجاد نشده است. در سطح متوسط و زیاد بطور قابل ملاحظه سبب خسارت زیاد گندم در مقایسه ذرت شد. این همراه با زیان بیشتر نسبت آب و کلروفیل در گندم و سطوح این تنش در ذرت می شود. مقدار ABA باقیمانده در سطح متوسط تنش در هر دو گونه گیاهی تاثیری نداشته اما افزایش قابل توجهی در ریشه‌ها و برگ های ذرت نسبت به گندم در سطح متوسط نشان داد. خسارت اکسیداتیو در سطوح تنش متوسط و زیاد مقدار مالوندی آلدهید و H2O2 بطور محسوس در گندم نسبت به ذرت افزایش داشت. تقریبا، ذرت مقدار قابل توجهی آنتی اکسیدانت غیر آنزیمی (اسید آسکوربیک و گلوتاتیون) و آنزیمی (آسکوربیک پروکسیداز، دی هیدروآسکوربات ریداکتاز و گلوتاتیون ریداکتاز، خصوصا در برگ‌ها ) دارد. در مقابل گندم دارای فعالیت بیشتر کاتالیز در ریشه‌ها و نیز برگ‌ها در مقایسه با ذرت می باشد. فعالیت سوپراکسید دیسماتاز نشان داد که تفاوت کمی بین گونه گیاهی بوده است. آزمایش برگ های هر دو گونه گیاهی خسارت بیشتری نسبت به ریشه‌ها دیده‌اند. این یافته‌ها اظهار کردند که حساسیت متفاوتی در گیاهان C3 و C4 نسبت به تنش کم دارند و نفوذ ناقصی برای توانایی مقابله با تنش اکسیداتیو، شامل اسید آسکوربیک و گلوتاتیون می باشد. 

کلمات کلیدی: اسید آسکوبیک، آسکوربیک پرواکسیداز، کاتالیز، تنش خشکی، گلوتاتیون، ذرت، گندم

مقدمه

تنش کمبود آبی تاثیر زیادی در سیستم اکولوژیکی و کشاورزی می گذارد(روکفورت و ودوارد 1992). کارایی اکوسیستم می تواند اصلاح ناشی از تغییر در فراوانی نسبی گروههای اساسی گیاهی (بعنوان مثال C3 و C4) در سیستم طبیعی شود(اپستین و همکاران 1998). علاوه بر این، پتانسیل تولید گیاهان C3 (برای مثال گندم) یا C4 (بعنوان مثال ذرت) کاهش زیادی ناشی از خشکی های مکرر که سبب کاهش مشخص عملکرد می شود(جاوس و پریرا 1992).

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید

عنوان انگلیسی مقاله: New CMOS Inverter-Based Voltage Multipliers

عنوان فارسی مقاله:  ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 15

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

چهار ضرب کننده ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای عبورPMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. ضرب کننده های ولتاژ ارائه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی (غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می باشند. ضرب کننده ولتاژ با ولتاژ خروجی مثبت، توسط فرآیندهای TSMC 0.35μm CMOS 2P4M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و تحلیل های نظری داشتند. سطح تراشه ی بدون پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت پنج-مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها 1.75×1.32 mm2 می باشد.

1.مقدمه:

کاربرد بیشتر و بیشتر ضرب کننده های ولتاژ، در زمینه های مختلف در نوشتجات گوناگون را می توان دید. یک پمپ شارژ AC/DC که گاهی نیز ضرب کننده ولتاژ نامیده می شود، ولتاژ AC ورودی را به ولتاژ خروجی DCبا دامنه ی افزایش یافته تبدیل می کند. به سبب ساختار ساده ی آن و عملکرد تبدیل مناسب، مدارات یکسوساز بطور گسترده ای در تشخیص فرکانس رادیویی (RFID)، تلمتری بیسیم، کاشت های پزشکی و کاربرد های دیگر، استفاده می شوند.

برای تحقیق مبدل AC/DC، یکسوسازهای تمام موج مرسوم تشکیل شده از ترانزیستورهای PMOS و NMOS دیود-متصل-شده، دارای مشکل تلفات توان مبنی بر ولتاژ آستانه ذاتی می باشند [4]. این یکسوساز معمولن در مدارات ولتاژ بالا که افت ولتاژ مستقیم دیود پایین است، کاربرد دارد. برای یکسوسازهای ولتاژ پایین، این افت ولتاژ به اندازه ی چشم گیری زیاد بوده و وابسته به جریان عبوری می باشد. ولتاژ خروجی یکسو شده و بازده ی تبدیل توان (PCE) را کاهش می دهد. به منظور بالا بردن بازده ی یکسوساز، یک یکسوساز فعال با افت ولتاژ کم، در [5] آورده شده است. 

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى 65 نانومتری

عنوان انگلیسی مقاله: New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology

عنوان فارسی مقاله:  مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى 65 نانومتری.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 16

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

در این مقاله، در مورد چالش های مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای  در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایش های گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی  و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.

کلمات کلیدی: ولتاژ پایین، کم توان، زیرآستانه، مقیاس نانو

1-مقدمه:

در چند سال اخیر، تلاشهای زیادی در جهت تحقیق و توسعه مدارهای کاربردی کم توان برای گرههای حسگری بی سیم تغذیه شده با باتری صورت گرفته است. اخیرا تعدادی از مقالات در این زمینه، در رابطه با استفاده از حوزه زمانی ADC به جای حوزه دامنه بحث کرده اند [1] – [4]. در مقالات مذکور، مبدل ها را می توان تماما از مولفه مداری دیجیتال ایجاد کرد ، اما این کار شرایط بسیار بسته ای را برای مقایسه گر  و مدار نمونه بردای  ایجاد خواهد کرد. برای مطابقت با این شرایط، باید فلیپ فلاپ های کم توان و پرسرعت با احتمال کم زیرپایداری طراحی شود. در سالهای اخیر، با کوچک شدن مقیاس های مداری در ابعاد اتمی، جریان های نشت مداری افزایش چشمگیر داشته است که منجر به اتلاف توان بالاتر می شود. 

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید