ترجمه مقاله کلیدزنی تغییر بار حامل کمکی برای تلمتری اطلاعات معکوس

عنوان انگلیسی مقاله: Auxiliary-Carrier Load-Shift Keying for Reverse Data Telemetry from Biomedical Implants

عنوان فارسی مقاله:  کلیدزنی تغییر بار حامل کمکی برای تلمتری اطلاعات معکوس، با روش کاشت پزشکی.

دسته: پزشکی - برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 9

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

این مقاله روش جدیدی برای تلمتری اطلاعات بوسیله ابزارهای کاشتنی پزشکی به دنیای خارج را معرفی می کند(همچنین با عنوان تلمتری اطلاعات معکوس معروف است).در روش پیشنهاد شده، همزمان با انتقال توان (و شاید هم  اطلاعات) با استفاده از یک حامل اصلی به ایمپلانت، حامل دومی نیز از طریق همان لینک به ایمپلانت فرستاده می شود. حامل دوم که دارای فرکانس بالاتر و دامنه کوچکتر است، بوسیله کلیدزنی تغییر بار برای تلمتری اطلاعات معکوس پیش بینی شده است.در این فرایند، لینک بیسیم(وایرلس) بوسیله ی دو فرکانس تشدید با استفاده از پیچک های مارپیج چاپی با تزویج نزدیک بهم و شبکه های تطبیق LC، دریافت می شود.فرکانس های حامل های اصلی و کمکی،به ترتیب 1 مگاهرتز و 10 مگاهرتز با پیک دامنه ی 5 ولت و 1 ولت است.همزمان با قابلیت تامین پیوسته ی توان های تنظیم نشده بار مقاومتی 100 اهمی با بیشینه توان 80 میلی وات با پیک ولتاژ 4 ولت لینک،تلمتری اطلاعات با میزان 100 کیلوبایت بر ثانیه، بطور موفق در جهت معکوس مورد آزمون قرار می گیرد.

1.مقدمه:

میکروسیسم ها برای تعبیه در افزارهایی که نیاز به ارتباط با دنیای بیرون بوسیله ی اتصال بیسیم دارند،طراحی شده اند. بطور کل،ارتباط بیسیم به میکروسیستم های پزشکی قابل کاشت،برای تلمتری اطلاعات به الکترونیک کاشته شده و نیز برای تبادل اطلاعات دوطرفه میان جای تعبیه شده و دنیای خارج استفاده می شود.[1]

دو روش برای انتقال اطلاعات بیسیم از میکروسیستم های قابل کاشت به دنیای بیرون وجود دارد.

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله کنترل هموار نوسان تولید برق فتوولتائیک و توان بادی

عنوان انگلیسی مقاله: Battery Energy Storage Station (BESS)-Based Smoothing Control of Photovoltaic (PV) and Wind Power Generation Fluctuations

عنوان فارسی مقاله:  کنترل هموار نوسان تولید برق فتوولتائیک  و توان بادی، مبنی بر باطری خانه ذخیره کننده انرژی. 

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 36

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

از باطری خانه ذخیره کننده انرژی (BESS) برای مقاصد فعلی هموار کردن (منظور ازبین بردن نوسانات) نوسانات تولید انرژی بادی و خورشیدی استفاده می شود. این سیستم های قدرت هیبرید مبنی بر BESS، به یک استراتژی کنترل مناسبی که بتواند بصورت موثری سطوح توان خروجی و حالت شارژ (SOC) باطری را تنظیم کند، نیازمندند. این مقاله، نتایج بررسی شبیه سازی سیستم قدرت هیبرید بادی/فتوولتاییک (PV)/BESS را که به منطور بهبود عملیات هموار کردن شکل موج توان تولیدی خروجی، و اثربخش بودن کنترل SOC باطری انجام شده است، ارایه می دهد. یک روش کنترل هموار برای کاهش نوسانات توان خروجی هیبریدی بادی/PV و نیز تنظیم SOC باطری تحت شرایطی خاص، در اینجا ارایه شده است. یک روش جدید تخصیص توان لحظه ای مبنی بر BESS نیز پیشنهاد شده است. فواید این روش ها نیز با استفاده از نرم افزار MATLAB/SIMULINK بررسی شده است.

اصطلاحات مربوط: کنترل هموار سازگار، باطری خانه ذخیره انرژی (BESS)، تولید توان خورشیدی، حالت شارژ(SOC) ، تولید توان بادی.

مقدمه:

در سال های اخیر، تولید برق با استفاده از انرژی باد و خورشید (PV) توجه چشمگیری را در سراسر دنیا به خود واداشته است. شرکت دولتی شبکه برق چین (SGCC)، در حال ساخت پروژه نمایشی مشترک خطوط انتقال، و پست ذخیره انرژی بادی/PV/باطری ای (BESS) ملی بوده، و این پروژه در منطقه ژآنگبی، هبی در چین واقع است. ژآنگبی متعلق به نیروگاه بادی 10 ملیون کیلوواتی چین می باشد. پروژه نمایشی در سه مرحله برنامه ریزی شده است. اکنون در مرحله نخست قرار داشته . تا پایان ماه دسامبر سال 2011، یک مزرعه بادی 100 مگاواتی، یک مزرعه 40 مگاواتی، و یک BESS لیتیومیونی 14-MW/63-MWh در ژانگبی ساخته خواهد شد.

سیستم ذخیره سازی انرژی باطری، قادر به ارایه پاسخ های مدیریت انرژی انعطاف پذیری است که می تواند کیفیت توان سیستم های تولید توان هیبریدی انرژی تجدیدپذیر را بهبود بخشد. بدین منطور، روش های کنترلی و پیکربندی های زیادی باید برای سیستم های ذخیره سازی انرژی هیبریدی _مانند یک سیستم ذخیره سازی انرژی باطری، یک سیستم مغناطیسی ابررسانا (SMES)، یک سیستم انرژی چرخ طیار (FES)، یک سیستم انرژی خازنی (ECS)، و یک سیستم هیبریدی پیل سوختی/الکترولایزر_ ارایه شده اند تا نوسانات توان را کاهش داده یا کیفیت توان را بهبود بخشند. 

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله مزایای واسط های الکترونیک قدرت برای سیستم های انرژی توزیع شده

عنوان انگلیسی مقاله: Benefits of Power Electronic Interfaces for Distributed Energy Systems

عنوان فارسی مقاله: مزایای واسط های الکترونیک قدرت برای سیستم های انرژی توزیع شده.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 29

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

با افزایش استفاده از سیستم های انرژی توزیع شده (DE) در صنعت و پیشرفت های فنی آن، فهم مجتمع کردن این سیستم ها با سیستم های الکترونیک قدرت، مهم تر شده است. بازارها و سودهای جدید برای کاربردهای DE، شامل توانایی ارایه خدمات جانبی، بهبود بازده انرژی، بهبود قابلیت اطمینان سیستم قدرت، و اجازه انتخاب دادن به مشتری، می باشد. واسط های الکترونیک قدرت پیشرفته (PE) به سیستم های DE اجازه می دهد تا عملکردی بهبود یافته بصورت اقدامات بهبود کیفیت توان و ولت-آمپر راکتیو (VAR)، افزایش سازگاری سیستم الکتریکی با کاهش دادن عوامل خطا، و انعطاف در عملکرد با منابع DE مختلف دیگر، همزمان با اینکه هزینه های اتصالات را نیز کاهش می دهد، ارایه دهند. این مقاله، مسایل مجتمع کردن سیستم را که به سیستم های DE مربوط می باشد، امتحان کرده و مزایای استفاده از واسط های PE برای این کاربردها را نشان می دهد. 

اصطلاحات مربوط: انرژی توزیع شده (DE)، تولید توزیع شده (DG)، جریان خطا، اتصال داخلی، واسط، اینورتر، میکروشبکه، الکترونیک قدرت (PE)، کیفیت توان.

1.مقدمه:

سیستم های انرژی توزیع شده (DE)، که همچنین تولید توزیع شده (DG) نام دارند، سیستم های انرژی هستند که در محل مصرف کننده و یا در نزدیکی آن می باشند. بطور معمول از 1 kW تا 10 MW وجود داشته، و می توانند انرژی برق، و در برخی موارد گرما نیز، تحویل دهند. مزایای بالقوه گوناگونی در سیستم های DE، هم برای مصرف کننده و هم تولید کننده برق وجود دارد که امکان انعطاف پذیری بیشتر و امنیت بیشتر انرژی را می دهد [1]. برای مشتری، این مزایا عبارتند از: کاهش نوسانات قیمت، قابلیت اطمینان بیشتر، و بهبود کیفیت توان. مزایای بالقوه زیادی برای تولید کننده انرژی وجود دارد، از قبیل آزاد شدن ظرفیت خط، کاهش پرباری در انتقال و توزیع، تاخیر سرمایه گذاری در شبکه و بهبود بهره برداری از دارایی شبکه، و قابلیت سیستم DE در ارایه ی خدمات جانبی، مانند پشتیبانی و پایداری ولتاژ، پشتیبانی ولت-آمپر-راکتیو (VAR)، و ذخایر احتمالی. 

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله مشخصه های کلیدزنی و پایداری دوسویه لیزرهای حلقه ای نیمه هادی با تزریق نوری بیرونی

عنوان انگلیسی مقاله: Bistability and Switching Properties of Semiconductor Ring Lasers With External Optical Injection

عنوان فارسی مقاله:  مشخصه های کلیدزنی و پایداری دوسویه لیزرهای حلقه ای نیمه هادی با تزریق نوری بیرونی.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 26

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

ما هم بصورت آنالیزی و هم بصورت محاسباتی مشخصه های کلیدزنی، قفل شدگی، و پایداری دوسویه یک لیزر حلقه ای نیمه هادی در معرض یک تزریق نوری بیرونی را بررسی می کنیم. کمینه توان نوری مورد نیاز سیگنال تزریق در فرکانسی مشخص برای سوییچ کردن مسیر لیزر کردن یک لیزر حلقه ای نیمه هادی از مسیر لیزری اولیه خود به مسیر غیرلیزری اولیه آن، تعیین شده است. به منظور یافتن ناحیه ی عملیات سوییچینگ قابل اطمینان، قفل شدگی سیگنال تزریقی و پایداری لیزر سوییچ شده مورد بررسی قرار گرفته اند. به همین سان، به منظور یافتن سوییچینگ (کلیدزنی) موفق و ناحیه ی قفل شدگی پایدار با توان و فرکانس تزریق متغیر، شبیه سازی های عددی انجام گرفته اند و با نتایج آنالیزی مورد مقایسه قرار گرفته اند. ناحیه ای که با استفاده از شبیه سازی بدست آمد، تطابق خوبی با محل تقاطع ناحیه های سوییچینگ، قفل شدگی و قفل شدگی پایدار دارد. روابط میان پارامترها و سرعت سوییچینگ منبع تزریق شده نیز بصورت عددی مورد بررسی قرار گرفته است.

کلیدواژه: پایداری دوسویه، قفل شدگی تزریق، رقابت نما، لیزرهای حلقه ای نیمه هادی، کلیدزنی

1.مقدمه:

لیزرهای حلقه ای نیمه هادی (SRLها( با توجه به ویژگی بی همتای پایداری دوسویه ی آنها [1] و [2] _یعنی قابلیت آنها برای عملکرد در دو مسیر لیزری پایدار مشخص (مسیر ساعتگرد (CW) و مسیر پادساعتگرد (CCW)) که در شکل 1 نشان داده شده است و کاربردهای قوی آنها در سیستم های نوری برای کاربردهای منطق تمام-اپتیک، سوییچ نوری، و حافظه ی نوری [3] و [4]، توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. تغییر از یک مسیر لیزری به مسیر دیگر را می توان با تزریق بیرونی انرژی نوری به مسیر غیرلزری قبل که یک فرآیند رقابت حالت موافق این مسیر را به منظور مسیر لیزری شدن در پایان فرایند آغاز می کند می توان انجام داد.

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى غیر-معمولی جدید

عنوان انگلیسی مقاله: Characterization for Novel Non-traditional CMOS Inverter Composed of a Junctionless NMOSFET and a Gated N+-N--P Transistor

عنوان فارسی مقاله: تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 8

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

1.مقدمه:

همزمان با ادامه توسعه ی تکنولوژی نیمه هادی ها، وسایل منطقی نیمه هادی اکسید-فلزی مکمل (CMOS)، در مدارات دیجیتال و نیز ساخت آی-سی ها در مقیاس های بسیاربزرگ (VLSI)، استفاده می شود؛ و این بدلیل مصرف توان استاتیک کم و کاهش نویز خوب آن می باشد. بدبختانه، پردازش پیچیده، هزینه های ساخت زیاد، و پویایی تطبیق نیافته، مسایل جدی وسایل منطقی CMOS سیلیکونی می باشند. همچنین، زمانی که ابعاد وسایل کوچک می شوند، به نظر می رسد که پهنای بیشتر PMOSFETها به سختی بتوانند به چگالی زیاد ساخت مدار مجتمع، دست یابند. تعدادی چند از مطالعات بر روی CMOS گزارش شدند که می توانند مشکلات گفته شده در بالا را _مثلا ساخت وسیله بر روی لایه سلیکون-روی-عایق (SOI) [1]، و روی سطح ژرمانیوم روی عایق (GeOI)[2]، و یا روی مواد III-V [3] و [4]، یا استفاده از تکنولوژی مهندسی فشار و ساخت آی-سی سه بعدی [5] _ را آسان کنند. با این حال، مسایل مربوط به جبران سازی پهنای PMOSFET و فرآیندهای پیچیده ی آن هنوز باقی است.

در دهه 1980، Yasuhisa Omura ترانزیستور گیت-جدا نوع-دوقطبی غیر مستقیم جانبی (LUBISTOR) را [6] و [7] که همانند یک دیود P-I-N کنترل شده کار می کرد، معرفی کرد. همچنین، ترانزیستورهای اثر میدان تونلی P-I-N(TFET) بخاطر مصرف توان پایینشان، تا بامروز مورد استقبال قرار گرفته اند. این به خاطر نوسان زیرآستانه ی سراشیبی (S.S.) و نسبت جریان ION/loFF بالای [8] و [9] مزایای TFETها برای مقیاس بندی ولتاژ منبع توان، می باشد. اخیرا، JL NMOSFTها [10] هم بسیار پر طرفدار بوده اند. نداشتن اتصال، ساخت آنها را به دلیل نبود اتصالات سورس/درین S/D آسانتر کرده است. به علاوه، زمانی که ابعاد وسیله کوچکتر می شوند، اثرات کانال-کوتاه (SCE) و کاهش مانع القای-درین (DIBL)، می تواند به اندازه ی کافی در JL NMOSFETها کاهش داده شود.

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید